三星和高通因涉嫌在未支付许可使用费的情况下“获利数十亿美元”而被起诉侵犯专利。

11月29日，韩国科学技术院知识产权（KAIST IP）美国办事处在美国德克萨斯州东区联邦地区法院马歇尔分院提起诉讼。

诉讼涉及名为“双控鳍式场效晶体管（Double-gate FinFET)设备及其制造方法”的美国第6885055号专利，该专利于2005年4月得到了美国专利商标局（USPTO）的批准。

专利权所有人KAIST IP称，三星和被告全球晶圆（GloFo）以及高通直接、间接且蓄意侵犯其第6885055号专利。

KAIST IP是一家韩国科学与工程机构，旨在促进韩国科学技术院的知识产权保护。

诉讼称，FinFET设备是一种场效应晶体管。二维平面晶体管自1950年起就用于现代集成电路或芯片中。

诉讼称，三星“拒绝认真对待FinFET技术”，未与专利发明人首尔国立大学李琼霍（Jon-ho Lee）教授进行合作，且未得到李教授的专利使用许可。

2014年，三星宣布了第一代FinFET技术，并于2015年大规模生产且用于其“14纳米FinFET移动应用处理器”。

诉讼称，该技术用于三星Galaxy S6和三星Galaxy S6 Edge智能手机。

KAIST IP认为，三星与GloFo、高通签订成立合资企业协议后，这些公司在“未获许可”的情况下基于李教授的发明而“获得数十亿美元的智能手机收入”。该共同协议展现了“14纳米FinFET处理技术的全球能力”，并涵盖了高通金鱼草芯片和三星猎户座芯片。

KAIST IP请求法院判决被告向其支付损害赔偿、合理的许可使用费、判决前后的利息、加重损害赔偿和诉讼费，并请求法院采用陪审团审判。(编译自worldipreview.com)