美国版权局

　　美国版权局（United States Copyright Office）自1870年以来一直是国会图书馆（Library of Congress）的一部分，并自1897年以来被国会认可为图书馆的一个单独部门。版权局负责注册版权声明，记录有关版权所有权的信息，向公众提供信息，并为政府处理各种版权问题提供帮助。

定义

　　《美国法典》第17编（版权）第9章规定了半导体芯片产品的保护。根据第901条，“半导体芯片产品”指任何产品的最终形式或中间形式，其（1）具有两层或多层金属、绝缘或半导体材料，按照预定的模式安置或移除一部分半导体材料；并且（2）拟执行电子电路功能。

　　“掩膜作品（mask work）”是一系列相关的图像（image），无论这些图像是固定的还是已编码（encoded）的，其（1）具有或展现金属、绝缘或半导体材料的预定三维图案，其存在于半导体芯片产品的各层，或者从各层中被移除；并且（2）在这些系列中，图像彼此之间的关系是每个图像都具有半导体芯片产品一种形式的表面图案。

掩膜作品保护

　　美国的“掩膜作品”，我国称为“集成电路布图设计”。尽管这些布图是功能性的，只要该掩膜作品不是由特定的电子功能决定的，也不是实现该功能的仅有的几种可选设计之一，掩膜作品仍然受到保护。但是，保护不会延伸到任何与掩膜作品相关的想法、程序、过程、系统、操作方法、概念、原则或发现，无论在掩膜作品中通过何种方式对它们进行了描述、解释、说明或体现。

　　在美国，受到保护的掩膜作品必须符合以下条件：

　　1．原创性（Originality）

　　掩膜作品应当是设计者原创的，而非抄袭得来。掩膜作品不能仅包含半导体行业中常见的设计，也不能以整体上不是原创的方式组合这些设计的变体。

　　2．适当性（Eligibility）

　　由掩膜作品的所有者或由其授权，在半导体芯片产品中固定的任何原创的掩膜作品，如果符合以下条件之一，则有资格获得保护：

　　（1）掩膜作品在美国版权局注册的日期，或者在世界上任何地方首次将该掩膜作品进行商业开发的日期，以两者中较早者为准，作品的所有者

　　a．是美国公民或在美国有住所；

　　b．其国籍、住所或属地属于美国之外的国家，该国家与美国同为某一保护掩膜作品国际条约的成员方；

　　c．无国籍。

　　（2）掩膜作品首先在美国进行商业开发。

　　（3）属于美国总统宣布的扩大保护范围的地区，所有者是这些地区的居民、在这些地区首先商业开发，或者属于与这些地区互有有国民待遇的地区。

保护期

　　掩膜作品在美国的保护期从作品在美国版权局注册之日，或从在世界任何地方首次对该掩膜作品进行商业开发之日，以其中较早者起算，保护期限为10年（从开始计算起第10个日历年结束时终止）。

　　掩膜作品所有人可通过填写美国版权局提供的掩膜作品注册申请表（Form MW）提交申请，填写项目包括：

　　1．标题（Title）

　　提交注册的每件作品都必须具有标题，以便进行分类和识别。该标题可能包括其中体现掩膜作品的半导体芯片产品的名称，例如ASTRA 2014、Memory Cell 5522或Register X22。

　　2．交存物的性质（Nature of Deposit）

　　简要说明作为识别材料的交存物件，例如彩色覆盖醋酸纤维薄片（acetate color overlay sheets）或复合图（composite plot）。

　　3－5．有关当前所有人的信息（Information About Current Owner / Owners）

　　掩膜作品的所有人是（1）创建该掩膜作品的人；（2）创建者的法定代表人，如果创建者已故或在法律上无行为能力；（3）某人在工作范围内为其创建掩膜作品的雇主；（4）所有权的受让人。

　　如果MW表提供的空间不够，可使用续表（Continuation sheet）。

　　在第4项中提供当前所有人的公民身份或住所。

　　如果当前所有人不是所申请掩膜作品的创建人，则必须在第5项中选择相应选项，以解释所有人为何对该掩膜作品拥有要求保护的权利。如果当前所有人是公司或组织，则必须选择其中一项。

　　6．首次进行商业开发的日期和国家（Date and Nation of First Commercial Exploitation）

　　商业开发掩膜作品，是指以商业为目的向公众提供其中体现掩膜作品的半导体芯片产品。

　　出售或转让半导体芯片产品的要约，仅在要约以书面形式出现并发生在掩膜作品被固定在半导体芯片产品中之后，才可认定为商业开发。

　　如果所申请的掩膜作品已在世界任何地方进行了商业开发，申请人应填写确切的日期和首次进行商业开发的国家／地区。 如果作品尚未进行商业开发，无需填写第6项。

　　7．首次商业开发时所有人的公民身份或住所（Citizenship or Domicile of Owner at Time of First Commercial Exploitation）

　　掩膜作品在美国可受保护的资格，取决于第一次商业开发时被商业开发的掩膜作品的所有人的国籍或住所地。

　　如果所申请的掩膜作品已被商业开发，且首次商业开发时所有人的国籍或住所地与第4项给出的不同，须填写第7项。

　　8．创新的性质（Nature of Contribution）

　　掩膜作品通常包含半导体行业中常见的预先存在的材料（preexisting material）。这样的材料是不可保护的。但是，如果是以原创的方式将它们进行了组合，这种新的创建者身份可受到保护。也就是说，此前已被商业开发的作品部分，或者已经注册过的部分，不能包含在权利要求中。

　　申请人要提供简短的一般性说明，以描述作为其权利要求基础的可受保护的创新。如果适用，该说明可以引用要注册的掩膜作品所基于的任何先前的掩膜作品，以帮助区分出创新点与现有作品的不同。需要注意，保护并不扩展到半导体芯片产品的功能。

　　9．联系方式（Correspondence）

　　如果需要更多信息，填写联系人的姓名、地址、电子邮件和白天的电话号码。

　　10．存款账户（Deposit Account）

　　如果有现有的账户交纳申请费，填写第10项。

　　11．证明（Certification）

　　有权证明该申请中主张的事实的人员必须在申请书上签名。

　　12．证书邮寄地址（Address for Return of Certificate）

　　姓名和地址必须清楚填写，证书将以（有透明纸窗可见收信人地址的）窗口信封（window envelope ）邮寄给申请人。